FDB8443的N-沟道PowerTrench
MOSFET
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
漏源极电压
V
GS
I
D
E
AS
P
D
栅极至源极电压
漏电流连续（T
C
< 146 C，V
GS
= 10V)
o
o
参数
评级
40
±20
80
25
参见图4
（注1 ）
531
188
1.25
-55到+175
o
单位
V
V
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 43 ℃/ W）
脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
减免上述25
o
C
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳
热阻结到环境
2
0.8
（注2 ）
62
43
o
o
o
C / W
C / W
C / W
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸的铜焊盘面积
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8443
设备
FDB8443
包
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 32V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
C
=
150
o
C
40
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 80A ，V
GS
= 10V
I
D
= 80A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
2
-
-
2.8
2.3
4.2
4
3.0
5.5
mΩ
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 20V
I
D
= 35A
I
g
= 1毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9310
800
510
0.9
142
17.5
36
18.8
32
-
-
-
-
185
23
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
FDB8443
启示录
A
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FDB8443的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
(V
GS
= 10V)
t
on
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 20V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 2Ω
-
-
-
-
-
-
-
18.4
17.9
55
13.5
-
58
-
-
-
-
109
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 15A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
0.8
0.8
42
48
1.25
1.0
55
62
V
ns
nC
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.26mH ，我
AS
= 64A.
2:
脉冲宽度= 100秒。
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。为
的要求的副本，请参阅AEC Q101在： http://www.aecouncil.com/
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
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