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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第1页 > FK7KM-12
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
FK7KM-12
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸(mm)
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
w
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ...............................
600V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... ...................
1.63
I
D ............................................................................................
7A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
综合
快恢复二极管( MAX 。 ) ........为150ns
q
e
TO-220FN
应用
伺服电机驱动,机器人, UPS ,逆变器原子荧光
灯等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
600
±30
7
21
7
21
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟,终端到外壳
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
t
rr
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
600
±30
2
3.3
典型值。
3
1.25
3.75
5.5
1100
125
17
30
30
100
35
1.5
马克斯。
±10
1
4
1.63
4.89
2.0
3.57
150
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 200V ,我
D
= 3A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 3A ,V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 7A ,D
is
/d
t
= -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
5
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
100s
1ms
10ms
T
C
= 25°C
单脉冲
tw=10s
40
30
20
10
0
10
0
0
50
100
150
200
10
–1
7
DC
5
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
案例温度T
C
(°C)
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
输出特性
(典型值)
20
P
D
= 35W
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
=20V
10V
6V
10
输出特性
(典型值)
V
GS
=20V
10V
T
C
= 25°C
6V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
漏电流I
D
(A)
8
5V
6
12
8
5V
4
P
D
=
35W
2
4V
4
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
5.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 14A
4.0
24
3.0
V
GS
= 10V
20V
16
7A
8
3A
2.0
1.0
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
漏电流I
D
(A)
16
12
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
75°C
125°C
8
4
0
0
4
8
12
16
20
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
电容与
漏源电压
(典型值)
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
西塞
10
3
7
5
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
10
–1
2 3
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
10
1
CRSS
TCH = 25°C
7 F = 1MHz的
5 V
GS
= 0V
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
20
40
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 7A
32
24
T
C
=
125°C
16
75°C
8
25°C
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
50
100
150
200
250
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
1.4
1.0
3
2
10
2
t
rr
7
5
3
2
10
1 0
10
I
rr
3
2
10
1
7
5
3
2
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
2 3
5 7 10
1
T
ch
= 25°C
T
ch
= 150°C
10
0
2 3
5 7 10
2
沟道温度Tch ( ° C)
瞬态热阻抗Z
日( CH - C )
( ° C / W)
源电流我
S
(A)
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D=1
3
2 0.5
10
0
7
5
3
2
0.2
0.1
P
DM
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D = TW
T
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
10
1
10
1
7
5
3
2
10
0
T
ch
= 25°C
7
T
ch
= 150°C
5
2 3
5 7 10
3
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
二极管的反向VS.
源电流D
is
/d
t
特征
(典型值)
5
5
I
S
= 7A
V
GS
= 0V
3
3
V
DD
= 250V
2
2
t
rr
I
rr
10
–1
7
5
3
2
2 3
5 7 10
2
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
源电流D
is
/d
t
( -A /μs的)
Feb.1999
反向恢复电流我
rr
(A)
二极管的反向VS.
源电流特性
(典型值)
10
2
10
3
d
是/
d
t
= -100A / μs的
7
7
V
GS
= 0V
5
5
V
DD
= 250V
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
FK7KM-12
外形绘图
10 ± 0.3
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
尺寸(mm)
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ
3.2 ± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
4.5 ± 0.2
q
w
e
来源
1 2 3
2.6 ± 0.2
w
V
DSS ................................................. ...............................
600V
r
DS ( ON) ( MAX ) ........................................... ...................
1.63
I
D ............................................................................................
7A
V
ISO ................................................. ...............................
2000V
综合
快恢复二极管( MAX 。 ) ........为150ns
q
e
TO-220FN
应用
伺服电机驱动,机器人, UPS ,逆变器原子荧光
灯等。
最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
重量
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
600
±30
7
21
7
21
35
–55 ~ +150
–55 ~ +150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
RMS
g
Feb.1999
交流时间1分钟,终端到外壳
典型的价值
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
t
rr
参数
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±25V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
GS
= 10V
I
D
= 3A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
600
±30
2
3.3
典型值。
3
1.25
3.75
5.5
1100
125
17
30
30
100
35
1.5
马克斯。
±10
1
4
1.63
4.89
2.0
3.57
150
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 200V ,我
D
= 3A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50
I
S
= 3A ,V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 7A ,D
is
/d
t
= -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
5
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
100s
1ms
10ms
T
C
= 25°C
单脉冲
tw=10s
40
30
20
10
0
10
0
0
50
100
150
200
10
–1
7
DC
5
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999
案例温度T
C
(°C)
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
输出特性
(典型值)
20
P
D
= 35W
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
=20V
10V
6V
10
输出特性
(典型值)
V
GS
=20V
10V
T
C
= 25°C
6V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
漏电流I
D
(A)
8
5V
6
12
8
5V
4
P
D
=
35W
2
4V
4
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
()
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
5.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 14A
4.0
24
3.0
V
GS
= 10V
20V
16
7A
8
3A
2.0
1.0
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
漏电流I
D
(A)
16
12
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
75°C
125°C
8
4
0
0
4
8
12
16
20
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
电容与
漏源电压
(典型值)
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
西塞
10
3
7
5
开关特性
(典型值)
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
切换时间(纳秒)
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
10
–1
2 3
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
10
1
CRSS
TCH = 25°C
7 F = 1MHz的
5 V
GS
= 0V
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
20
40
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
16
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
源电流我
S
(A)
TCH = 25°C
I
D
= 7A
32
24
T
C
=
125°C
16
75°C
8
25°C
4
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
50
100
150
200
250
5.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
Feb.1999
三菱N沟道功率MOSFET
FK7KM-12
高速开关使用
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
1.4
1.0
3
2
10
2
t
rr
7
5
3
2
10
1 0
10
I
rr
3
2
10
1
7
5
3
2
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
2 3
5 7 10
1
T
ch
= 25°C
T
ch
= 150°C
10
0
2 3
5 7 10
2
沟道温度Tch ( ° C)
瞬态热阻抗Z
日( CH - C )
( ° C / W)
源电流我
S
(A)
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D=1
3
2 0.5
10
0
7
5
3
2
0.2
0.1
P
DM
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D = TW
T
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
10
1
10
1
7
5
3
2
10
0
T
ch
= 25°C
7
T
ch
= 150°C
5
2 3
5 7 10
3
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
二极管的反向VS.
源电流D
is
/d
t
特征
(典型值)
5
5
I
S
= 7A
V
GS
= 0V
3
3
V
DD
= 250V
2
2
t
rr
I
rr
10
–1
7
5
3
2
2 3
5 7 10
2
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
源电流D
is
/d
t
( -A /μs的)
Feb.1999
反向恢复电流我
rr
(A)
二极管的反向VS.
源电流特性
(典型值)
10
2
10
3
d
是/
d
t
= -100A / μs的
7
7
V
GS
= 0V
5
5
V
DD
= 250V
FK7KM-12
高速开关使用
N沟道功率MOS FET
REJ03G1377-0200
(上一篇: MEJ02G0237-0101 )
Rev.2.00
2006年7月7日
特点
V
DSS
: 600 V
r
DS ( ON) ( MAX )
: 1.63
I
D
: 7 A
维索: 2000 V
集成的快速恢复二极管( MAX ) : 150纳秒
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
2
1
1.门
2.漏
3.源
1
2
3
3
应用
伺服电机驱动,机器人, UPS ,灯镇流器等。
最大额定值
( TC = 25 ° C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流(脉冲)
源出电流
源电流(脉冲)
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
总胆固醇
TSTG
VISO
评级
600
±30
7
21
7
21
35
- 55 + 150
- 55 + 150
2000
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
g
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
AC 1分钟,
终端案例
典型的价值
Rev.2.00
2006年7月7日
第1页6
FK7KM-12
电气特性
(总胆固醇= 25 ℃)下
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
| y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
t
rr
分钟。
600
±30
2
3.3
典型值。
3
1.25
3.75
5.5
1100
125
17
30
30
100
35
1.5
马克斯。
±10
1
4
1.63
4.89
2.0
3.57
150
单位
V
V
A
mA
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0 V
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0 V
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 200 V,I
D
= 3 A,
V
GS
= 10 V,
R
= R
GS
= 50
I
S
= 3 A,V
GS
= 0 V
渠道情况
I
S
= 7 A,D
is
/d
t
= -100 A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
50
5
3
2
最大安全工作区
功耗P
D
(W)
TW = 10微秒
100s
漏电流I
D
(A)
40
10
1
7
5
3
2
30
20
10
10
0
7
5
3
2
0
0
50
100
150
200
10
–1
7
DC
5
10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
TC = 25°C
单脉冲
壳温度( ° C)
漏源电压V
DS
(V)
Rev.2.00
2006年7月7日
第2 6
FK7KM-12
输出特性(典型)
20
P
D
= 35W
输出特性(典型)
10
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
16
V
GS
= 20V
10V
6V
TC = 25°C
脉冲测试
8
V
GS
= 20V
10V
6V
5V
6
12
8
5V
4
P
D
=
35W
4V
4
4V
0
0
10
20
30
40
50
2
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
()
漏源通态电压V
DS ( ON)
(V)
导通电压VS.
栅源电压(典型值)
40
通态电阻VS.
漏电流(典型值)
5.0
TC = 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 14A
TC = 25°C
脉冲测试
4.0
24
3.0
V
GS
= 10V
20V
16
7A
8
3A
2.0
1.0
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
正向转移导纳主场迎战
漏电流(典型值)
正向转移导纳| YFS | ( S)
10
1
7
V
DS
= 10V
脉冲测试
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
传输特性(典型)
20
漏电流I
D
(A)
16
TC = 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
TC = 25°C
75°C
125°C
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00
2006年7月7日
第3页6
FK7KM-12
电容与
漏源极电压(典型值)
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
科斯
西塞
10
3
7
5
开关特性(典型)
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
= R
GS
= 50
t
D(关闭)
10
2
7
5
3
2
10
1
10
–1
2 3
5 7 10
0
2 3
电容C (PF )
切换时间(纳秒)
3
2
t
f
t
r
t
D(上)
5 7 10
1
10
1
CRSS
TCH = 25°C
F = 1MHz的
7
V
GS
= 0V
5
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压与
栅极电荷(典型值)
20
40
源极 - 漏极二极管的正向
特性(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
TCH = 25°C
I
D
= 7 A
16
V
DS
= 100V
200V
12
400V
8
源电流我
S
(A)
32
24
TC =
125°C
16
75°C
8
4
25°C
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷Qg ( NC )
通态电阻VS.
通道温度(典型)
10
1
7
V
GS
= 10V
5
I
D
= 3A
脉冲测试
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0
50
100
150
200
250
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
阈值电压 -
通道温度(典型)
5.0
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
门源阈值电压V
GS ( TH)
(V)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
Rev.2.00
2006年7月7日
第4 6
FK7KM-12
击穿电压VS.
通道温度(典型)
1.4
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
二极管的反向VS.
来源Currnet特性(典型)
1.2
Reverce恢复时间trr ( NS )
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.0
3
2
10
2
t
rr
7
5
3
2
10
1 0
10
I
rr
3
2
10
1
7
5
3
2
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
2 3
5 7 10
1
T
ch
= 25°C
T
ch
= 150°C
10
0
2 3
5 7 10
2
沟道温度Tch ( ° C)
源电流我
S
(A)
瞬态热阻抗第Z ( CH-C ) ( ° C / W)
二极管的反向VS.
来源Currnet
is
/ dt的特性(典型值)
瞬态热阻抗特性
10
1
7
5
D=1
3
2
0.5
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.2
0.1
3
2
t
rr
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
10
1
10
1
7
5
3
2
10
0
T
ch
= 25°C
7
T
ch
= 150°C
5
2 3
5 7 10
3
Reverce恢复电流IRR ( NS )
5
Reverce恢复时间trr ( NS )
5
I
S
= 7A
V
GS
= 0V
3
V
DD
= 250V
2
P
DM
0.05
0.02
0.01
单脉冲
tw
T
D = TW
T
I
rr
2 3
5 7 10
2
10
–2
10
–4
2 3 57
10
–3
2 3 57
10
–2
2 3 57
10
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
源电流DIS / DT (-A /μs的)
脉冲宽度tw (多个)
开关时间测量电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
开关波形
90%
R
VIN
VOUT
10%
10%
10%
R
GS
V
DD
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
Rev.2.00
2006年7月7日
分页: 5 6
Reverce恢复电流IRR ( NS )
10
3
7
5
10
2
d
是/
d
t
= -100A / μs的
7
V
GS
= 0V
5
V
DD
= 250V
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    联系人:杨小姐
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    -
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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