1998年4月
FDP7030L / FDB7030L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程特别是针对减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如DC / DC转换效率高
开关电路中快速切换，低线功率
需要损耗和耐瞬变。
特点
100 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.007
@ V
GS
=10 V
R
DS （ ON）
= 0.010
@ V
GS
=5 V
.
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
175°C最高结温额定值。
_________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
FDP7030L
30
±20
（注1 ）
FDB7030L
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流
- 连续
100
75
- 脉冲
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
T
J
,T
英镑
T
L
（注1 ）
300
125
0.83
-65 175
275
W
W / ℃，
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1.2
62.5
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDP7030L Rev.D
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
单脉冲漏源雪崩能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 15 V，I
D
= 38 A
200
38
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
=125 °C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
30
36
10
1
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
mA
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
击穿电压温度。系数
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 5 V，I
D
= 40 A
1
1.5
-5
0.006
0.009
0.009
60
50
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
2
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.007
0.011
0.01
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
I
SM
V
SD
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
2150
1290
420
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 75 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
R
GS
= 10
10
160
70
140
20
225
95
195
50
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
= 12 V
I
D
= 50 A，V
GS
= 4.5 V
35
12
18
漏源二极管的特性
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
（注1 ）
（注2 ）
（注2 ）
100
300
1
0.85
1.3
1.1
A
A
V
V
GS
= 0 V，I
S
= 50 A
T
J
= 125°C
笔记
基于最大允许结温1.计算的连续电流。实际最大连续电流限制通过包装的限制， 75A 。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
FDP7030L Rev.D
1
