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FDW2515NZ
2003年2月
FDW2515NZ
共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET是一款坚固耐用
的门版本飞兆半导体安森美半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压（ 2.5V - 12V ） 。
特点
5.8 A， 20 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 38毫欧@ V
GS
= 2.5 V
扩展V
GSS
范围（ ± 12V ）的电池应用
ESD保护二极管（注3）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
@ V
GS
= 2.5 V
低调TSSOP -8封装
应用
锂离子电池组
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
销1
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
20
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
5.8
20
1.6
1.1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
77
114
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2515NZ
设备
FDW2515NZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
民
20
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
=
±12
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
10
1
±10
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
0.6
1.0
–0.3
22
29
29
1.5
V
毫伏/°C的
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 5.8 A
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 2.5 V,
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.8 A，T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 5 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 5.8 A
10
28
38
40
m
I
D（上）
g
FS
A
25
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
745
205
115
pF
pF
pF
F = 1.0 MHz的
1.6
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
9
6
15
8
17
11
28
16
12
Ns
Ns
Ns
Ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 5.8 A,
9
1.5
2.4
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
电气特性
符号
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
1.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 5.8 A
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
（注2 ）
0.7
17
1.2
（注2 ）
5
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
77 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装时， 114 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
典型特征
20
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.4
V
GS
= 10.0V
I
D
，漏电流（ A）
16
2.5V
V
GS
= 2.0V
2
4.5V
12
3.0V
2.0V
8
1.6
2.5V
3.0V
1.2
3.5V
4.5V
6.0V
10.0V
4
1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.07
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
= 2.9A
0.06
0.05
1.2
0.04
T
A
= 125 C
o
0.03
1
T
A
= 25
o
C
0.02
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
20
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
16
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
12
8
T
A
= 125
o
C
25
o
4
125 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，门源电压（ V）
o
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 5.8A
8
V
DS
= 5V
电容（pF）
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
900
C
国际空间站
10V
6
15V
4
600
C
OSS
300
C
RSS
2
0
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
50
R
DS （ ON）
极限
100us
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θJA
= 114
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
10s
DC
40
单脉冲
R
θJA
= 114 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 114 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
2003年2月
FDW2515NZ
共漏极N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET是一款坚固耐用
的门版本飞兆半导体安森美半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压（ 2.5V - 12V ） 。
特点
5.8 A， 20 V
R
DS （ ON）
= 28毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 38毫欧@ V
GS
= 2.5 V
扩展V
GSS
范围（ ± 12V ）的电池应用
ESD保护二极管（注3）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
@ V
GS
= 2.5 V
低调TSSOP -8封装
应用
锂离子电池组
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
销1
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
20
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
5.8
20
1.6
1.1
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
77
114
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2515NZ
设备
FDW2515NZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
民
20
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
=
±12
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
10
1
±10
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
0.6
1.0
–0.3
22
29
29
1.5
V
毫伏/°C的
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 5.8 A
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 2.5 V,
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.8 A，T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V,
V
DS
= 5 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 5.8 A
10
28
38
40
m
I
D（上）
g
FS
A
25
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时，
V
GS
= 0 V,
745
205
115
pF
pF
pF
F = 1.0 MHz的
1.6
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
9
6
15
8
17
11
28
16
12
Ns
Ns
Ns
Ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 5.8 A,
9
1.5
2.4
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
电气特性
符号
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大单位
1.3
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 5.8 A
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
（注2 ）
0.7
17
1.2
（注2 ）
5
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
77 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装时， 114 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
典型特征
20
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.4
V
GS
= 10.0V
I
D
，漏电流（ A）
16
2.5V
V
GS
= 2.0V
2
4.5V
12
3.0V
2.0V
8
1.6
2.5V
3.0V
1.2
3.5V
4.5V
6.0V
10.0V
4
1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
0.8
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.07
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
= 2.9A
0.06
0.05
1.2
0.04
T
A
= 125 C
o
0.03
1
T
A
= 25
o
C
0.02
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（
o
C)
0.01
0
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
20
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
16
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
12
8
T
A
= 125
o
C
25
o
4
125 C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，门源电压（ V）
o
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDW2515NZ C版本
FDW2515NZ
典型特征
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 5.8A
8
V
DS
= 5V
电容（pF）
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
900
C
国际空间站
10V
6
15V
4
600
C
OSS
300
C
RSS
2
0
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
图8.电容特性。
50
R
DS （ ON）
极限
100us
I
D
，漏电流（ A）
10
1ms
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θJA
= 114
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
10s
DC
40
单脉冲
R
θJA
= 114 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 114 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
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