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CMOS门电路的阈值电压通常为UDD/2

发布时间:2014/12/31 19:51:47 访问次数:10160

  CMOS门电路的阈值电压通常为UDD/2,静态时,Dl、D2工作在电压传输特性的转折区,HT7530有很大的电压放大倍数。由于Rf跨接在Dl的输出、输入端之间,而CMOS门电路在正常工作范围内它的输入电流约等于0,因此U。1=Uu。这时在直角坐标图4- 55 (a)中,

Uol =Un所作的一条斜直线和CMOS门电路的电压传输特性转折曲线的交点P,即为门电路Dl的静态工作点。

   通常,由于CMOS门电路的阈值电压UTH =UDD/2,它和Dl的静态工作点也恰好相交于P点。由于Ui2一ol,所以,D2也工作在电压传输特性转折区的中点。

      

   若因某种原因使Ui有微小的正跳变,则必将引起如下的正反馈过程,反馈的结果使Dl迅速导通而D2迅速截止,电路进入第一个暂稳态。同时电容C开始放电,放电回路为:电容C的左极板-,Rf-*Dl一地(电源)tjDD一D2--电容C的右极板。

   随着电容C的放电,逐渐下降,当Uil降至UTH时,另一个反馈过程发生.通过电容C将信号电压反馈到Dl的输入端。由于电容C的上端电压升高时,它的下端相对要下降,这就迫使Uil下降,其结果使Dl迅速截止,D2迅速导通,电路翻转进入第二个暂稳态。同时电容C开始充电,充电回路为:电源UDD- Dl-Rf一电容C—D2-*地。

   随着电容C的充电,Uil不断上升,当Uil一UTH时,电路翻转重新回到第一个暂稳态。如此往复,电路便不停地振荡。其工作波形如图4 - 55  (c)所示。

   通过分析及计算,电路的振荡周期T=1. 4RfC,而且Ti一T2,输出波形的占空比为50%。为减少电容C充放电过程中CMOS门电路输入保护电路所承受的电流冲击,在电路的Dl输入端串人阻值较大的保护电阻,这时,在UTH =UDD/2的条件下,电路的搌荡周期为:T=2.2RfC。

   除了用集成反相器外,用与非门和或非门电路也可组成多谐振荡器。用与非门和或非门组成的多谐振荡器如图4- 56所示。



  CMOS门电路的阈值电压通常为UDD/2,静态时,Dl、D2工作在电压传输特性的转折区,HT7530有很大的电压放大倍数。由于Rf跨接在Dl的输出、输入端之间,而CMOS门电路在正常工作范围内它的输入电流约等于0,因此U。1=Uu。这时在直角坐标图4- 55 (a)中,

Uol =Un所作的一条斜直线和CMOS门电路的电压传输特性转折曲线的交点P,即为门电路Dl的静态工作点。

   通常,由于CMOS门电路的阈值电压UTH =UDD/2,它和Dl的静态工作点也恰好相交于P点。由于Ui2一ol,所以,D2也工作在电压传输特性转折区的中点。

      

   若因某种原因使Ui有微小的正跳变,则必将引起如下的正反馈过程,反馈的结果使Dl迅速导通而D2迅速截止,电路进入第一个暂稳态。同时电容C开始放电,放电回路为:电容C的左极板-,Rf-*Dl一地(电源)tjDD一D2--电容C的右极板。

   随着电容C的放电,逐渐下降,当Uil降至UTH时,另一个反馈过程发生.通过电容C将信号电压反馈到Dl的输入端。由于电容C的上端电压升高时,它的下端相对要下降,这就迫使Uil下降,其结果使Dl迅速截止,D2迅速导通,电路翻转进入第二个暂稳态。同时电容C开始充电,充电回路为:电源UDD- Dl-Rf一电容C—D2-*地。

   随着电容C的充电,Uil不断上升,当Uil一UTH时,电路翻转重新回到第一个暂稳态。如此往复,电路便不停地振荡。其工作波形如图4 - 55  (c)所示。

   通过分析及计算,电路的振荡周期T=1. 4RfC,而且Ti一T2,输出波形的占空比为50%。为减少电容C充放电过程中CMOS门电路输入保护电路所承受的电流冲击,在电路的Dl输入端串人阻值较大的保护电阻,这时,在UTH =UDD/2的条件下,电路的搌荡周期为:T=2.2RfC。

   除了用集成反相器外,用与非门和或非门电路也可组成多谐振荡器。用与非门和或非门组成的多谐振荡器如图4- 56所示。



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