当给二极管加上正向电压（二极管正极接电源正极，负极接电源负极）时，流过二极P4KE100A管中电流的大小与加在二极管两端电压的大小有关。如图中曲线的OA段所示，由于所加电压较小，不足以克服PN结电场对晶体中载流子扩散的阻挡作用，因而正向电流增加很小。

   当外加电压继续增加到一定数值时(硅管约0. 7V;锗管为0.3V)，二极管内阻变小，正向电流急剧增加，如图中曲线的AB段所示。这时曲线变得很陡，电流的增大和电压的增加成线性关系。

   图中，对应于B点的电流IF称为二极管的额定工作电流，即实际工作中的最大允许电流。与B点对应的电压UF称为二极管的（额定电流时的）正向管压降。

   当给二极管加上反向电压（二极管正极接电源负极，负极接电源正极）时，二极管中的PN结呈现很大的反向电阻，称为二极管的截止状态。在这种状态下，由于晶体中的P区还存在有少数电子，N区也有少数空穴，所以在反向电压的作用下仍有微小的反向电流，只是由于载流子数量有限，反向电压虽然在增加，但反向电流几乎保持不变，如图3 - 25中曲线的OC段。

   反向电流又称反向饱和电流，用IR表示。IR大则表明二极管的单向导电性能较差。一般硅二极管的IR为几十微安，锗二极管为几百微安。

   当加在二极管的反向电压超过曲线中的C点时，反向电流急剧增大，二极管被击穿，对应的电压UR称为反向击穿电压。

   额定电流IF、正向管压降UF、反向饱和电流IR和反向击穿电压UR是二极管的四个最基本的参数。