光发射器件的发光强度

   测量半导体发光二极管和红外发光二极管(以下统称发光二极管)的发光强度。该方法适用于三种状态下对发光强度的测量:

   状态⒈将发光二极管绕机械轴旋转,测量发光强度的最小值和(或)最大值;状态⒉将光学试验台的光轴对准发光二极管的光轴;状态3:依据与发光二极管外壳类型相对应的基准进行定位,以便获得可重复的机械定位。H5MS5162EFR-J3M

    测试电路图

   图10-12 发光强度测试电路图

   图中,G为电流源。可以是恒定直流,也可以是脉冲直流源。直流需要给出电流要求;脉冲直流源需给出幅度、脉冲宽度和重复频率的要求。

   为被测发光二极管。

   为发光二极管和探测器的距离。'可以调整,使D1处观察光源时的立体角小于0.01Ⅲ。D1,砀,D3为消除寄生辐射的光栏。光栏不应限制立体角。PD为探测器。根据产品的不同,选择合适的探测器,如光度计、热偶或辐射计。