辐照后电参数测试

   辐射产生的氧化物陷阱电荷在室温下就会发生退火效应,因此,为了减小退火效应对试验结果的影响, M24C32-RMN6TP辐照后器件的电参数测试时间间隔一般遵守如下规定:

   (l)辐照结束到开始电参数测试的时间间隔不得超过1h;如果使用剂量率条件C,时间间隔不得超过72h。

   (2)上一次辐照结束到下一次辐照开始之间的时间间隔不得超过2h;如果使用剂量率条件C, 日寸丨司问阝鬲不得超过120h。

   为了减小退火效应的影响,这些时间间隔应该尽量短,且在试验过程中,电参数的测试顺序应保持不变。

   另外,如果辐照后的电参数测试采用移位测试的方式进行,那么将器件从辐射源移至测试地点进行测试以及测试完毕返回辐射源继续进行辐照的过程中,应将器件的所有引脚短接,使辐射后的退火效应减至最小。

   4)其他通用要求

   (1)辐射源均匀性要求。器件被辐射的范围内测得的辐射场不均匀性应低于10%,且整个辐照试验期间,辐射源的射线场强度大小(或剂量率)的变化不超过±5%。另外,器件与辐射源之问位置的变化,以及辐射吸收和散射材料的存在将会影响辐射场的均匀性和强度。

   (2)试验环境温度要求。温度对半导体器件的电离总剂量辐照损伤有很大的影响,因 此,在进行辐照试验时,器件附近测得的环境温度应在(γ±6)℃范围内。

   (3)铅铝屏蔽盒要求。在辐照试验室中,一般都会有低能散射(低能射线)的存在,而且低能散射将会引起剂量增强效应,这将对评估结果造成影响。因此,辐照试验过程中,器件应该放在铅铝屏蔽盒中,以较小由低能散射辐射引起的剂量增强效应。这种铅铝屏蔽盒外层要求至少为15mm厚的铅,内层屏蔽层至少为07mm厚的铝。

如果能证明低能散射辐射足够小,不会因剂量增强效应引起剂量测定的误差,也可以不使用铅铝屏蔽盒。