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   氧化层在施加高电场应力后，其I-V特性中发生隧穿前的电流比施加高场应力前增加，在电压脉冲移去后，其瞬态电流正比于氧化层中产生的陷阱数，反比于时间￡，而且陷阱的产生是均匀随机分布的。如电子注入的界面处粗糙不平，可能伴随较高的陷阱产生速率，从而导致较短的击穿时间。利用隧穿波阵分析，可确定陷阱产生与电压、应力流、极性及时间的关系。实测表明：体陷阱产生数与应力流的1／3次方程正比，界面态的产生数与应力流的1／2次方成正比，而与电压极性及衬底类型无关。陷阱的产生与极性无关，表明热载流子或碰撞电离不涉及薄氧化层中陷阱的产生。方次的不同说明界面态的陷阱是二雏的，而体陷阱本质上是三维的。当体（界面）陷阱密度在l019／cm3(1012 /Cl'l'12．eV)范围时，氧化物就引发击穿。

   高场下氧化层内部产生陷阱。随着陷阱密度的增加，有更高的电流流过。当某个局部区域陷阱密度超过某一临界值时，触发的局部电流密度上升，若沿局部路径足以促使热烧毁，即发生击穿。据此提出的统计（击穿）模型。氧化层面积为A-LW，厚度为d，氧化层被划分为N个面积为n的本征小单元，陷阱随机地分布其中，当某个小单元的陷阱数超过临界值K时，引发该单元击穿，整个氧化层烧毁。