东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lM Ji-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示,与Flex系列所有的频率功率都加在底部电极不同,传统的SCCM SEplus采用两个分离的RF发生器。位HAT2198WP-EL-E于顶部的高频是功率源,用来调整等离子密度,而底部的低频是用来控制离子的轰击。另外,可调的间隙是控制等离子分布的关键。从而实现r所需刻蚀速率的均匀性。为了进一步增强刻蚀速率分布控制的灵活性,将边缘气流调节和在顶部电极上叠加直流等技术也整合到了SCCM Ji ()x中。这一功能被证明能够缓解在低功率区出现的甜麦圈型的刻蚀速率分布,而且,单片总成本降低的需求更注重于一体化刻蚀工艺的能力。在一体化I艺各步骤中,可以自由地优化直流叠加技术,以避免可能出现的同定间隙调整T艺步骤的限制。

   在2009年,应用材料公司(AMAT)发布了用于32nm及其以下工艺节点的AdvantEdgc Mesa硅刻蚀机。Mesa利用了应用材料公司多代成熟的产品技术和丰富的经验,突破性的ICP设计去除F ICP功率耦合的固有特征,从而改进了M形刻蚀速率均匀性。eMax CT^是应用材料公司第一个以两个不同偏置功率、双气区和SiC涂层表面为特征的介质刻蚀机。两种机型的目标都是要改进CD的均匀性。2O09年推出的Enabler E5具有一个专利技术的超高频(VHF)[㈠1源,采用磁场和多个独立的气体注人控制离子流量。所有这些特征,导致其在一体化的后端工艺集成和高深宽比(HAR)接触刻蚀中具有特殊的能力。超高频混合是动态等离子均匀性控制的一个有效的技术,它能够使腔室运行在保持超薄光刻胶完整性的低分解高选择性模式,也可以运行在有效地去除光刻胶和刻蚀后残余物的高分解模式。有效的腔室清洗能力,高纯的抗等离子刻蚀的腔室材料,二者协同效应的结果提供了一个稳定、清洁的腔室条件。