在炉管中，杂质原子扩散到裸露的晶圆中。在晶圆内部，掺杂原子以两种不同的机制运动：PCA9539PWR空位模式和间隙模式。在空位模式中，掺杂原子通过占据晶格空位来运动，称为填空杂质( vacancy)。第二种模式依赖于杂质的间隙运动。在这种模式中，掺杂原子在晶格间（即间隙位置）运动。

   淀积工艺受几个因素控制或约束。一个因素是特定杂质的扩散率( diffusivity)。扩散率计量的是杂质在特定晶圆材料中的运动速率。扩散率越高，杂质在晶圆中的穿越越快。扩散率随温度的上升而变大。

   另外一个因素是杂质在晶圆材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定杂质在晶圆中所能达到的最高浓度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度。咖啡只能溶解一定量的糖，而后便会在杯底凝结为固态糖。最大固溶度随温度的升高而升高。

   在半导体淀积步骤中，将杂质浓度故意设置得比晶圆材料中的最大固溶度更高。这种情形下，确保晶圆可接受最大掺杂量。

   进入晶圆表面的杂质数量仅仅与温度有关，淀积在所谓的同溶度允许条件下进行。硅中不同杂质的固溶度。