MOS器件不断地按比例缩小,通常伴随栅极氧化层的厚度的减薄,发生强反型时, HZICLPC21096410G沟道中的电阻将进一步降低,M(B器件速度将进一步提升。理论上MOsFET的栅极应该尽可能选择导电性良好的导体,重掺杂多晶硅普遍用于制作MOS「ET的栅极,但这并非完美的选择。采用多晶硅栅极的理由如下:M()SFET的阈值电压主要由栅极与沟道材料的功函数之间的差异来决定,因为多晶硅本质上是半导体,所以可以通过掺杂不同极性及浓度的杂质来改变其功函数。更重要的是,因为多晶硅和其底下作为沟道的硅之间禁带宽度相同,因此在降低PMOS或NM()S的阈值电压时,可以通过直接调整多晶硅的功函数来达成需求。

    反过来说,金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变,如此一来要降低MOSFET的阈值电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NM()S的阈值电压,将需要两种不同的金属分别做其栅极材料,增加了I艺的复杂性;经过多年的研究,已经证实硅一二氧化硅界面两种材料之问的缺陷相对而言比较少。反之,金属一绝缘界面的缺陷多,容易在两者之间形成很多表面能阶,大幅影响器件的性能;多晶硅的熔点比大多数的金属高,而在现代的半导体工艺中,习惯在高温下沉积栅极材料以增进器件性能。金属的熔点较低,将会影响工艺所能使用的温度上限。