1966年,一种金属一半导体场效应管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后实现,它在结构上与结型场效应管(JFET)类似,HZICMX25L6445E0G不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属-半导体接触所构成的肖特基势垒结的方式形成栅极,其沟道通常由化合物半导体构成,它的速度比由硅制造的结型

场效应管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相对更高。但是金属一半导体接触可以在较低温度下形成,可以采用GaAs衬底材料制造出性能优良的晶体管。

   高电子迁移率晶体管

   MESFET热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容限需求的增加,砷化镓MESFET已经达到了其设计上的极限,因为满足这些需求需要更大的饱和电流和更大跨导的短沟道场效应器件。一般可以通过增加沟道掺杂浓度来实现。由于沟道区是对体半导体材料的掺杂而形成的,多数载流子与电离的杂质共同存在。多数载流子受电离杂质散射,从而使载流子迁移率减小,器件性能降低。早在1960年,IBM公司的Andcrson就预言在异质结界面将存在电子的累积『23]。