变频技术是建立在电力电子技术基础之上的。在低压交流电动机的传动控制中,应用TB1100M最多的器件有GTo(门极可关断晶闸管)、GTR、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及IPM(IntcIligcnt Powcr Modulc,智能功率模块)。IGBT集GTR的低饱和电压特性和MOsFE飞金属氧化物半导体场效应晶体管)的高频开关特性于一体。后两种器件是目前通用变频器中广泛使用的主流功率器件。由于采用沟道型栅极技术、非穿通技术等方法,大幅度降低“集电极一发射极”之间饱和电压产品的问世,使得变频器的性能有了很大的提

高。⒛世纪⒛年代又出现了一种新型半导体开关器件  集成门极换流晶闸管(IntcgratedGatc Commu哑cd Thyristor,IGCTl,该器件是GTo和IGBT结合的产物。总之,电力电子器件正朝着发热少、高载波控制、开关频率高和驱动功率小的方向发展。

   IPM的投入应用大约比IGBT晚两年,由于IPM包含了IGBT芯片及外围驱动和保护电路,甚至还把光耦合器也集成于一体,因此是一种比较好用的集成型功率器件。