位置:51电子网 » 技术资料 » 传感与控制

空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加

发布时间:2017/12/2 15:52:44 访问次数:2491


   流子浓度很大,而空间N74F32DT电荷区载流子浓度可忽略,所以pn结中电阻最大处为空间电荷区,则外加偏压基本都落在空间电荷区。空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加。正向偏压砗在空间电荷区产生的电场方向与内建电场方向相反,原电场被减弱,则空间电荷区宽度减小,势垒高度从平衡状态的g‰下降到现在的∝‰-/+)°利用式(3.28),把平衡态时空间电荷区电势差由‰改为‰-‰即可得到正偏时的空间电荷区宽度。反向偏压L将产生与内建电场相同的电场,因此pn结内的电场进一步增强,空间电荷区宽度加宽,同时势垒高度由g‰增加为∝‰+廴)。

   pn结加正偏电压时,破坏了原零偏电压时载流子的扩散和漂移运动的平衡,由于空间电荷区电场减小,载流子漂移运动被削弱,扩散电流大于漂移电流,产生电子从n型区到p型区及空穴从p型区到n型区的正向电流。电子从中性n型区越过空间电荷区后向p型区扩散,成为p型区的非平衡少数载流子,电子边扩散边与多数载流子空穴复合减少至消失。从p型区向n型区扩散的空穴亦然。正向偏压越大,空间电荷区电场越小,空间电荷区越薄,势垒高度越低,正向电流越大。

   pn结加反偏电压时,空间电荷区电场增大,空间电荷区加宽,扩散和漂移运动的平衡破坏,载流子漂移运动增强,漂移电流大于扩散电流。这时n型中性区与空间电荷区边界的空穴被空间电荷区的强电场驱向p型区,同时p型中性区与空间电荷区边界的电子被驱向n型区。当这些少数载流子被驱走后,中性区的少子就靠扩散运动来补充,这个过程形成了反偏电压下的少数载流子的反向扩散电流,但是由于少数载流子的浓度很低,浓度梯度也很小,所以反向偏电压下扩散电流很小。





   流子浓度很大,而空间N74F32DT电荷区载流子浓度可忽略,所以pn结中电阻最大处为空间电荷区,则外加偏压基本都落在空间电荷区。空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加。正向偏压砗在空间电荷区产生的电场方向与内建电场方向相反,原电场被减弱,则空间电荷区宽度减小,势垒高度从平衡状态的g‰下降到现在的∝‰-/+)°利用式(3.28),把平衡态时空间电荷区电势差由‰改为‰-‰即可得到正偏时的空间电荷区宽度。反向偏压L将产生与内建电场相同的电场,因此pn结内的电场进一步增强,空间电荷区宽度加宽,同时势垒高度由g‰增加为∝‰+廴)。

   pn结加正偏电压时,破坏了原零偏电压时载流子的扩散和漂移运动的平衡,由于空间电荷区电场减小,载流子漂移运动被削弱,扩散电流大于漂移电流,产生电子从n型区到p型区及空穴从p型区到n型区的正向电流。电子从中性n型区越过空间电荷区后向p型区扩散,成为p型区的非平衡少数载流子,电子边扩散边与多数载流子空穴复合减少至消失。从p型区向n型区扩散的空穴亦然。正向偏压越大,空间电荷区电场越小,空间电荷区越薄,势垒高度越低,正向电流越大。

   pn结加反偏电压时,空间电荷区电场增大,空间电荷区加宽,扩散和漂移运动的平衡破坏,载流子漂移运动增强,漂移电流大于扩散电流。这时n型中性区与空间电荷区边界的空穴被空间电荷区的强电场驱向p型区,同时p型中性区与空间电荷区边界的电子被驱向n型区。当这些少数载流子被驱走后,中性区的少子就靠扩散运动来补充,这个过程形成了反偏电压下的少数载流子的反向扩散电流,但是由于少数载流子的浓度很低,浓度梯度也很小,所以反向偏电压下扩散电流很小。




热门点击

 

推荐技术资料

滑雪绕桩机器人
   本例是一款非常有趣,同时又有一定调试难度的玩法。EDE2116AB... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式