要制造出浅而且浓的结需要许多制程的相互配合.首先需要低能童高浓度的杂质掺入技术。R05E05通过低能量离子置入(low cnergy implan0和较重掺杂元素(species)的选用把掺杂物送到离晶面较浅的位置;冉加上高速的退火技术让掺杂物尽快被激活(activated),没能进行长程的扩散行为。近来制程的演进对退火速度的要求很高,从炉管退火到RTA(rapidthermal anneal)soak anneal。冉到spikC anneal,现在在10nm已用到快闪退火(flashameal)或雷射退火(laser anncal)。越是快速短暂的高温退火,越能造出浅而低阻值的超浅结。

   运用这些超浅结技术时,还必须照顾到漏电流(junction kakage)和电容(junctioncapacitance)。高的漏电流对芯片功耗有负面的影响,而高的电容将减缓芯片操作的速度。