当MOS器件丁作时,载流子(电子或空穴)从源向漏移动,在漏端高电场区获得动能。 UC3524ADWTR随着能量的累积,这些高能载流子不再与晶格保持热平衡状态,而是具有高于品格热能(KT)的能量,称热载流子。当热载流子的能量超过一定的阈值就会产生碰撞电离(impactionization〉。碰撞电离产生的电子空穴对会产生更多的电子空穴对,从而发生雪崩效应。有一部分热载流子具有较高能董,能够克服⒏/sOJ接口势垒注人靠近漏端的氧化层。这些注人的载流子会被俘获在栅氧化层中,或si/Si()2界面,或损坏Si∷/si()J(打断Si H键)G 从I阿导致器件的电学性能退化,器件不能正常工作。

    HcI寿命模型

   常用的H()I寿命模型有Ib模型,Ib/Id模型及1/Vd模型。

   Ib模型和Ib/Id模型是建立于一定的⒕条件下可以在Jbˉy#Hh线上找到rb的最大值。但通常在沟道长度小于0,1um的器件,应力条件一般采用来推理。