光刻胶垂直方向的形貌也发生变化
发布时间:2017/10/25 21:23:42 访问次数:2105
图7.13(a)中,灰色的图形代表光刻胶(正性光刻胶)经过曝光和显影后的横断面形貌。 TA7508随着曝光能量的不断增加,线宽变得越来越小。随着焦距的变化,光刻胶垂直方向的形貌也发生变化。先讨论随能量的变化。如果选定焦距为-0.1um,也就是投影的焦平面在光刻胶顶端往下0.1um的位置。如果测量线宽随能量的变化,可以得到如图7.14所示的一根曲线。
如果我们选定线宽全部允许范围(total CDtolerance)为线宽90nm的±10%,即18nm,而线宽随曝光能量的变化斜率为6.5nm/(mJ/cm2),最佳曝光能量为zOlllJ/cm2,则能量宽裕度EL为18/6,5/⒛=13.8%。够不够呢?这个问题同光刻机的能力强弱、工艺生产控制的能力、器件对线宽的要求高低等因素 有关。能量宽裕度同光刻胶对空间像的保真能力也有关系。一般来讲,在90nm、65nm、45nm以及32nm节点,栅极层光刻的EL要求为15%~~90%,金属连线层对EL的要求为13%~15%左右。
能量的宽裕度还同像对比度直接相关,不过这里的像不是来源于镜头的空间像,而是经过光刻胶光化学反应的“潜像”。光刻胶对光的吸收以及发生光化学反应需要光敏感成分在光刻胶薄膜内扩散,这种光化学反应所必需的扩散会降低像的对比度。
图7.13(a)中,灰色的图形代表光刻胶(正性光刻胶)经过曝光和显影后的横断面形貌。 TA7508随着曝光能量的不断增加,线宽变得越来越小。随着焦距的变化,光刻胶垂直方向的形貌也发生变化。先讨论随能量的变化。如果选定焦距为-0.1um,也就是投影的焦平面在光刻胶顶端往下0.1um的位置。如果测量线宽随能量的变化,可以得到如图7.14所示的一根曲线。
如果我们选定线宽全部允许范围(total CDtolerance)为线宽90nm的±10%,即18nm,而线宽随曝光能量的变化斜率为6.5nm/(mJ/cm2),最佳曝光能量为zOlllJ/cm2,则能量宽裕度EL为18/6,5/⒛=13.8%。够不够呢?这个问题同光刻机的能力强弱、工艺生产控制的能力、器件对线宽的要求高低等因素 有关。能量宽裕度同光刻胶对空间像的保真能力也有关系。一般来讲,在90nm、65nm、45nm以及32nm节点,栅极层光刻的EL要求为15%~~90%,金属连线层对EL的要求为13%~15%左右。
能量的宽裕度还同像对比度直接相关,不过这里的像不是来源于镜头的空间像,而是经过光刻胶光化学反应的“潜像”。光刻胶对光的吸收以及发生光化学反应需要光敏感成分在光刻胶薄膜内扩散,这种光化学反应所必需的扩散会降低像的对比度。
上一篇：对焦深度(找平方法)
相关技术资料- 10-25光刻胶垂直方向的形貌也发生变化
公网安备44030402000607
