SiCoNi是一种高选择性的预清洁方式,⒊O2:⒏>9o:1,Sio2:S1N4)5:1。TC74LCX32FT图6.9为siCoNi反应腔的结构,主要包括rem。te plasma发生器、hot showerhead、∞ldpedestal等主要部件。remote plasma产生器的主要作用是将NF3和NH3的混合气体在plasma作用下生成活性粒子。l・ot showerhead的温度为180℃左右,硅片上的⒏o2生成易升华的化合物(NH4)2⒏F6后,会被升举而靠近hot showerhead,将(NH犭)2SiF6升华。由于(NH砭)2SiF6只有在低温条件下才会生成,因此,∞1d pedestal的温度较低,接近室温,为(NH1)2SiF6的生成提供条件。图6.10为SiCoNi工艺过程,硅片进人反应腔后,NF3和NH3的混合气体在rem。te plasma发生器中产生活性粒子,活性粒子进人反应腔后与硅片表面的⒏O2反应生成易升华的化合物(NH4)2SiF6,然后将硅片升举到hot showOrhead附近,利用辐射加热的方式将硅片表面的(NH4)2⒏F6升华,然后由真空泵将气体抽走。在实际工艺过程中,有时一步升华很难把硅片表面的副产物去除干净,往往采用两步或多步升华以达到彻底除去副产物的目的。