套刻精度一般由光刻机上移动平台的步进(stepping)、扫描(scanning)同步精度 (synchron讫ation accur挺y)、温度控制、镜头像差、像差稳定性决定。P2041A当然,套刻精度也取决于对套刻记号的识别、读取精度以及工艺对套刻记号的影响,工艺对硅片的形变(如各种加热△艺、退火工艺)等等。现代的光刻机步进能够对硅片的均匀膨胀进行补偿,还可以对硅片的非均匀畸变进行补偿,如阿斯麦公司的推出的“格点测绘”GridMapper软件。它可以纠正非线性的硅片曝光格点的畸变。

   线宽均匀性分为两类:曝光区域内(ixltra ncld)的均匀性和曝光区域之间(inter Ⅱeld)的均匀性。

   曝光区域内的线宽均匀性,主要是由掩膜版线宽均匀性(通过掩膜版误差因子传递)、能量的稳定性(在扫描时)、扫描狭缝内的照明均匀性、焦距(focus)/找平(leveling)对于曝光区域内每一点的均匀性、镜头的像差(如彗形像差、散光)、扫描的同步精度误差(Moving⒏andard Deviation,MSD)等。

   曝光区域之间的线宽均匀性,主要是由照明能量的稳定性、硅片衬底膜厚的在硅片表面的分布均匀性(主要是由于涂胶均匀性、其他工艺带来的薄膜厚度均匀性)、硅片表面的平整度、显影相关烘焙的均匀性、显影液喷淋的均匀性等。