硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。N25Q064A13EF840F直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,更大直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。

   按单晶生长方法划分

   直拉法制各的单晶硅,称为CZ硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为MCZ硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为FZ硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。

   CZ硅主要用于二极管、太阳能电池、集成电路,也可作为外延片的衬底,如存储器电路通常使用Cz抛光片,主要是囚为其成本较低。当前CZ硅片直径可控制在3~12英寸之间。MCZ硅和CZ硅用途基本相似,但其性能好于CZ硅。

   FZ硅主要用于高压大功率可控整流器件领域,在大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品的芯片中普遍采用。当前FZ硅片直径可控制在3~6英寸之间。外延硅片主要用于晶体管和集成电路领域,如逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在集成电路制造中有更好的适用性,并具有消除闩锁效应的能力。当前外延片的直径在3~12英寸之间。实际生产中是从成本和性能两方面考虑新用硅片的生产方法和规格的,当前仍是直拉法单晶硅材料应用最为广泛。