与常规CMOS工艺兼容的镍的全硅化工艺是自对准工艺,而且几乎没有栅介质的损伤, TC74LCX32FT是一种比较简单的形成金属栅的方法。由于NiSi的功函数接近硅能带间隙中央,可以通过掺杂(PtSix:5,1cV;Ni(⒛%)Ta(80%)⒏:4.2eV)和改变硅化镍的相态(NiSi:4.5eV;Ni3⒏:4,85eV)对其进行调节。但是高掺杂浓度的硅化物和相控制都很难付诸生产,硅化处理的不完全和组分的微小偏差都会导致栅极功函数出现较大幅度的变化;而且用NiSi做栅极同时也会形成H孓⒊键,不能对阈值电压进行很好的控制。

   单元素金属或者合金可以作为金属栅极,但是它们的热稳定性和抗氧化能力较差,只有少数像铂和铱这样的贵金属较好,但是这些金属极难刻蚀,很难与标准工艺集成。具有良好导电性和合适功函数的金属氧化物如氧化铱(4.32eV)和氧化钌(5.0~5.3eV),同样可以作为MOS器仵栅极的候选材料,然而金属氧化物的热稳定性差,并且其成分中的氧在高温退火条件下会向衬底扩散导致衬底被进一步氧化,使得有效功函数变化和等效氧化物厚度(EOT)增加,且金属氧化物对H2的退火气氛十分敏感。