线性模型描述在较小漏源电压VI灬偏置下的MC)SFET器件特性。顾名思义,线性模型描述了MOSFET作为一个线性器件工作。更具体地它可以被建模为一线性电阻,其电阻OB2540MP由栅极一源极电压所调制。在这种工作状态,MOSFET可以用作模拟和数字信号的开关或作为一个模拟乘法器。

   漏极电流一般可表示为反型层的总电荷除以载流子从源极流到漏极所需要时间:其中,QⅡv是每单位面积的反型层电荷,W是栅极宽度,L是栅极长度,rr为渡越时间。假定载流子的速度在源极和漏极之间恒定,该渡越其中,速度v等于迁移率和电场的乘积:等速意味着一个恒定电场,等于漏-源电压除以栅极长度。因此,漏极电流可表示为我们现在假设,在源极和漏极之间的反型层中的电荷密度是恒定的。反型层中的电荷密度等于单位面积栅极氧化物电容与栅极一源极电压减去阈值电压的乘积: 如果栅极电压低于阈值电压,则反型层电荷为零。将反型层电荷密度代人漏极电流表达式,产生线性模型漏极电流表达式: