在铝中加人少量的铜或硅,是半导体工艺中常见的铝合金材料,因此硅、铜的去OPA2674I-14DR除也成为铝刻蚀时所须考虑的因素。如果两者未能去除,所遗留下来的硅或铜颗粒将会阻碍下方铝材料刻蚀的进行,而形成柱状的残留物,即所谓微掩膜现象(Micromasking)。对于硅的刻蚀,可直接于氯化物气体等离子体中完成,而sCh的挥发性很好,因此铝合金中硅的去除应没有什么问题。然而铜的去除就比较困难了,因为Cuc12的蒸气压很低挥发性不佳,所以铜的去除无法以化学反应方式达成,必须以高能量的离子撞击来将铜原子去除。另外,提高温度也可以帮助Cuc炻挥发。

   由于硅可用含氯等离子体刻蚀,Al Si合金(Si含量达到百分之几)也可在含氯的气体中刻蚀,形成挥发性的氯化物。然而,对A⒈Cu合金(一般Cu含量(4%)的刻蚀,由于铜不容易形成挥发性卤化

   物,故刻蚀之后有含铜的残余物留在硅片上,这就给刻蚀带来困难。当然,如果用高能离子轰击,可以去除这类物质,或者用湿法化学处理清除。A卜S⒈Cu合金膜的反应离子刻蚀可提供各向异性刻蚀剖面,在低压CC11￡炻等离子体中,反应生成挥发性的铝和硅的氯化物,不挥发的铜的氯化物用溅射法去除,溅射也能部分地去除金属表面的自然氧化层。

    铝合金在被卤化物等离子体刻蚀后,残留物(主要是AlC13和AlBr3)仍遗留在合金表面、侧壁及光刻胶上。一旦衬底离开真空腔体后,这些成分将会和空气中的水汽反应形成HCl和HBl,Hα又腐蚀铝合金,生成AlC13。如果提供的水汽足够,反应将持续进行铝合金将不断地被腐蚀。在含铜的铝合金中这种现象将更为严重,这是由于金属表面的含铜沉积物形成氯化铜所引起的。应当在刻蚀之后立即清除或中和硅片表面的残留物。比较好的方法是在刻蚀之后,移出腔体之前,以碳氟化合物(如C凡、CH凡等)等离子体做表面处理,将残留氯化物转变为无反应的氟化物,在铝合金表面形成一层聚合物,阻止铝合金与氯的进一步反应。必须把硅片暴露于湿气中的时间降到最少,这是在金属刻蚀机中集成一个去胶腔体的原因。