LPCVD是制备s3\薄膜的主要方法之一,它也是中温工艺,比H℃Ⅵ)s@中温工艺温度要高约100℃,有较好的台阶覆盖特性和较少的粒子污染。然而u℃Ⅵ)战Nl薄膜的内应力大,约为105N/⑾2,几乎比u℃ˇD-sQ高出一个数量级。 ACT2801QL-T1026高应力可使厚度超过⒛O llm的氮化硅薄膜发生龟裂。LPCXCVD s屯N4一般是作为杂质扩散的掩膜和选择性氧化的掩膜。另外,在一些特殊场合,作为腐蚀掩膜,如在进行单晶硅的KOH各向异性腐蚀时,多是采用氮化硅作为腐蚀掩膜。LPC、⑩si3N4的主要I艺流程为:准备→清洗→摆片→升温和抽真空→生长→停炉。

   在淀积之前对反应室必须进行清理准备,去除以往使用过程中在石英舟和反应室器壁上吸附的颗粒物,这和外延工艺的前处理一样。

   LPCVD多为热壁式反应器,硅片垂直密集摆放在石英舟上。为使各处反应气体分压相等,以保证淀积薄膜的厚度均匀,硅片摆放方向、间距应严格一致。升温的同时抽真空,真空度和温度达到控制要求之后,先通人稀释气体,一般是氮气,将反应器中的残余空气排出,再通入反应气体;反应气体一般需要稀释,以降低淀积速率,使其可控。淀积LPC`0si3№薄膜常用的硅源主要有sH2C1和SlH1。