IGBT的特点有以下几个。

  (1)电流密度大,是MOsFET的数十倍c

   (2)输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。

   (3)低导通电阻。在给定MAX3222IDW芯片尺寸和σc㈨的条件下,其导通电阻Rc“⑴)不大于M0ⅢET的Rds(。n)的10%。

   (4)击穿电压高,安仝I作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。

   (5)开关速度快,关断时间短,耐压1~1.8kⅤ的关断时间约1,2u,ω0Ⅴ级的关断时间约0.2灬,约为GTR的10%,接近于功率M0钾ET,开关频率。r达100kHz,开关损耗仅为σΓR的30%。

   ⒑BT是少子器件,它不但具有非常好的导通特性,而且也具有功率MO叩ET的许多特性,如容易驱动、安全工作区宽、峰值电流大、坚同耐用等。一般来讲,⒑BT的开关速度低于功率MOsFET,但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET,而且导通特性也不受工作电压的影响。由于⒑BT内部不存在反向二极管,所以在应用中可以灵活选用外接恢复二极管,这个特性是优点还是缺点,应根据工作频率、二极管的价格和电流等参数来衡量。