以上两个公式表明,这类材料的电流取决于材料的厚度。实际上,在高电压时,一般AD8539ARZ-REEL7注入的电荷载流子密度大于990,贝刂该电流定律就变得适用,它与欧姆定律之间存在偏差。相反,pn结的常规导电性是由本征和非本征载流子(来自于掺杂)形成的。空穴输运在低能级上完成,所以空穴对因氧气等环境因素而产生的陷阱不敏感。例如, PPV中空穴的输运不受陷阱的限制。相反,电子对距离较近的这类陷阱敏感总是变现为弥散输运行为。最切实可行的陷阱分布描述方式是紧邻电子导带处的数学指数描述。此时,陷阱的态密度刀`rEl具有玻尔兹曼分布的特征:

    此情况下,由于能隙很高,材料自身的本征载流子与注入的载流子相比可以忽略;与无序理论相同的是,还假设陷阱较浅。/rO表示电场为0时的迁移率。该模拟结果没有对空间电荷积分,无需相关的假设,很好地解释了J∝/⒒l的电流分布,完美地反应了器件与厚度的关系,尤其是电流恒定和高指数时//〃2比值的稳定性。其他的研究小组在保留了sCLC理论的有效性,并且将迁移率与电场的关系也包含在内,Campbc11等人提出了下面的模型:

   OLED理论研究的突破之处在于正确描述器件表现出的电光特性,但是目前仍然不精确。最初人们猜想注入式OLED效率的限制因素,但是研究发现热离子注入被认为是效率的限制因素,原因是交界面处的势垒较低,所以电流受空间电荷而不是注入的限制。