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垂直薄膜(VTF)

发布时间:2016/11/5 19:32:00 访问次数:1279

   垂直薄膜(VTF,Vc⒒ical Thin∏lm)属于垂直结构芯片,它的p电极和n电极分别在芯片的上下两个表面,支撑衬底为导热导电的衬底,如si、Gc和Cu等K3RG3G30MM-MGCH垂直结构廴ED芯片的p、n电极分别在芯片的两侧,使得电流几乎全部垂直通过外延层,横向流动的电流很少,电流分布均匀,产生的热量也很少。垂直薄膜LED芯片通过键合和激光剥离工艺将G瘀夕卜延层转移至Si、Cu等高热导率的衬底上,克服了传统蓝宝石衬底LED芯片在出光效率、散热、可靠性等方面存在的限制。常规芯片的出光面为p型GaN层,其厚度较薄不利于制作表面结构,在垂直薄膜中,较厚的n型GaN层为出光面,便于制作表面微结构,以提高光提取效率。

   GaN外延层难以实现在新衬底上的直接生长,所以制作垂直薄膜的工艺难点在于新衬底的键合和蓝宝石衬底的剥离。目前一般采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术实现将GaN基LED芯片从蓝宝石衬底转移至硅或铜衬底,同时在p型GaN层增加光反射层以减

小衬底对光的吸收,提高出光效率。以Cu衬底为例,Au作为键合金属层,通过热压方法在氮气气氛下实现G瘀基外延片与Cu衬底结合,键合温度为300~500℃;然后通过激光剥离技术将蓝宝石衬底分离,完成以Cu为衬底的垂直薄膜LED芯片的制备。激光剥离技术是利用GaN材料高温分解特性及G瘀与蓝宝石的带隙差,采用光子能量大于GaN带隙而小于蓝宝石带隙的紫外脉冲激光,透过蓝宝石衬底辐照GaN夕卜延层,在其界面处产生强烈吸收,使界面位置温度急剧升高,GaN气化分解,实现蓝宝石衬底剥离。

   与常规芯片相比,垂直薄膜LED芯片具有散热性能好、出光效率高等优点。大功率垂直结构LED技术已经成为实现半导体通用照明的解决方案。



   垂直薄膜(VTF,Vc⒒ical Thin∏lm)属于垂直结构芯片,它的p电极和n电极分别在芯片的上下两个表面,支撑衬底为导热导电的衬底,如si、Gc和Cu等K3RG3G30MM-MGCH垂直结构廴ED芯片的p、n电极分别在芯片的两侧,使得电流几乎全部垂直通过外延层,横向流动的电流很少,电流分布均匀,产生的热量也很少。垂直薄膜LED芯片通过键合和激光剥离工艺将G瘀夕卜延层转移至Si、Cu等高热导率的衬底上,克服了传统蓝宝石衬底LED芯片在出光效率、散热、可靠性等方面存在的限制。常规芯片的出光面为p型GaN层,其厚度较薄不利于制作表面结构,在垂直薄膜中,较厚的n型GaN层为出光面,便于制作表面微结构,以提高光提取效率。

   GaN外延层难以实现在新衬底上的直接生长,所以制作垂直薄膜的工艺难点在于新衬底的键合和蓝宝石衬底的剥离。目前一般采用激光剥离技术结合金属熔融键合技术实现将GaN基LED芯片从蓝宝石衬底转移至硅或铜衬底,同时在p型GaN层增加光反射层以减

小衬底对光的吸收,提高出光效率。以Cu衬底为例,Au作为键合金属层,通过热压方法在氮气气氛下实现G瘀基外延片与Cu衬底结合,键合温度为300~500℃;然后通过激光剥离技术将蓝宝石衬底分离,完成以Cu为衬底的垂直薄膜LED芯片的制备。激光剥离技术是利用GaN材料高温分解特性及G瘀与蓝宝石的带隙差,采用光子能量大于GaN带隙而小于蓝宝石带隙的紫外脉冲激光,透过蓝宝石衬底辐照GaN夕卜延层,在其界面处产生强烈吸收,使界面位置温度急剧升高,GaN气化分解,实现蓝宝石衬底剥离。

   与常规芯片相比,垂直薄膜LED芯片具有散热性能好、出光效率高等优点。大功率垂直结构LED技术已经成为实现半导体通用照明的解决方案。



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