图形化蓝宝石衬底的制备工艺主要有℃P干法刻蚀和湿法化学刻蚀工艺。ICP干法刻蚀:先在蓝宝石衬底上沉积一层sio或光刻胶掩膜; G1PM109NLF然后利用标准光刻工艺在掩膜上制作光刻图形;最后利用高能等离子体刻蚀蓝宝石衬底表面,在去除掩膜后可得到相应的图形化衬底。

   湿法化学刻蚀:利用光刻技术首先在蓝宝石衬底表面用光刻胶制作出所需图形;然后采用等离子体气相沉积法(PECVD)沉积Sio2:最后用Sio2作为蚀刻掩膜层,在280℃下以磷酸和硫酸的混合溶液高温蚀刻蓝宝石衬底从而在表面形成图形化。

   蓝宝石衬底的图形化制备经历了从最早由si02或siNx直接作为图形衬底,到微米尺寸的柱形图形化、半球形图形化、V形图形化和圆锥形图形化,现在正在向纳米尺寸图形化发展。目前广泛应用于工业化生产的是微米量级图形化蓝宝石衬底,纳米级图形化蓝宝石衬底还主要处在实验室研究阶段。