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化台物半导体

发布时间:2016/11/3 21:30:10 访问次数:892

   半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,按照材料的化学成分和结构特性可将半导体分为元素半导体、化合物半导体和合金(固溶体)半导体。 A1104EU-T典型的元素半导体材料主要位于Ⅳ族,包括碳、硅、锗、锡元素,其中硅和锗是最常用的元素半导体材料。所有Ⅳ族元素半导体材料都拥有金刚石型晶体结构和间接带隙。单晶硅是重要的半导体材料,主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底和太阳能电池。化合物半导体(Compound scmi∞IlductOr)是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。大多数的化合物半导体主要由Ⅲ族元素铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)和V族元素氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)两种化学元素组成(见表5.1)。其他常见组成的化合物半导体还包括Ⅳ-Ⅳ族化合物如α-s℃,Ⅱ-Ⅵ族化合物如ZnO、znS和Cdse。元素半导体和这些工元化合物半导体的 共同特点是平均每个原子都拥有4个价电子c除少数儿种Ⅲ-Ⅴ族化合物(如:BN、AlN、㈤N、hN和InN)为纤维锌矿晶体结构外,大多数Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如AlP、AlAs、GaAs、InP、InAs等)都为闪锌矿结构,即类金刚石结构。合金半导体是在二元化合物半导体基础上,通过加入一种或两种普通元素从而形成三元或四元合金(固溶体)半导体。合金半导体最显著的特点是禁带宽度和晶格常数随组分连续可调,按照元素组分可分为二元合金半导体(si1xGcx),三元合金半导体(AlxGa1xAs、川xGaI xN、InxGal xAs、Inl xAlxAs等)和四元合金半导体(InxGaI xAsyP1y、AlxGal`Asysb1.)。根据组分和衬底的不同,合金半导体可以应用于不同的半导体器件中,如AlGaAs(GaAs为衬底)可以作为场效应管和光电器件;InGaAP(InP为衬底)用于光纤通信用光电器件;InGaAsP(GaAs为衬底)则用于红外激光器和探测器;GaInA1N(不同衬底)作为绿、蓝、紫外发光二极管和激光器。

   半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,按照材料的化学成分和结构特性可将半导体分为元素半导体、化合物半导体和合金(固溶体)半导体。 A1104EU-T典型的元素半导体材料主要位于Ⅳ族,包括碳、硅、锗、锡元素,其中硅和锗是最常用的元素半导体材料。所有Ⅳ族元素半导体材料都拥有金刚石型晶体结构和间接带隙。单晶硅是重要的半导体材料,主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底和太阳能电池。化合物半导体(Compound scmi∞IlductOr)是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。大多数的化合物半导体主要由Ⅲ族元素铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)和V族元素氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)两种化学元素组成(见表5.1)。其他常见组成的化合物半导体还包括Ⅳ-Ⅳ族化合物如α-s℃,Ⅱ-Ⅵ族化合物如ZnO、znS和Cdse。元素半导体和这些工元化合物半导体的 共同特点是平均每个原子都拥有4个价电子c除少数儿种Ⅲ-Ⅴ族化合物(如:BN、AlN、㈤N、hN和InN)为纤维锌矿晶体结构外,大多数Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如AlP、AlAs、GaAs、InP、InAs等)都为闪锌矿结构,即类金刚石结构。合金半导体是在二元化合物半导体基础上,通过加入一种或两种普通元素从而形成三元或四元合金(固溶体)半导体。合金半导体最显著的特点是禁带宽度和晶格常数随组分连续可调,按照元素组分可分为二元合金半导体(si1xGcx),三元合金半导体(AlxGa1xAs、川xGaI xN、InxGal xAs、Inl xAlxAs等)和四元合金半导体(InxGaI xAsyP1y、AlxGal`Asysb1.)。根据组分和衬底的不同,合金半导体可以应用于不同的半导体器件中,如AlGaAs(GaAs为衬底)可以作为场效应管和光电器件;InGaAP(InP为衬底)用于光纤通信用光电器件;InGaAsP(GaAs为衬底)则用于红外激光器和探测器;GaInA1N(不同衬底)作为绿、蓝、紫外发光二极管和激光器。

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