半导体材料可形成良好的n型和p型掺杂,具备高的n型和p型电导率。 AD9746BCPZ为制备pn结,需要半导体材料可形成p和n两种导电类型;为了提高载流子的注入效率和降低LED的串联电阻,需要n型和p型材料有足够高的载流子浓度和电导率。Zno材料晶格常数和禁带宽度与G瘀接近,但由于实现p型掺杂困难, 阻碍了其在LED上的应用。

    用于LED等发光器件的半导体材料要求具有高的晶体质量。半导体晶体材料中的缺陷是非辐射复合中心,高的缺陷密度将大大减小注入有源区的非平衡载流子寿命,降低发光效率,所以高质量的材料是制作高效率发光器件的必要条件。对于GaAs基LED,当材料中位错密度大于1.0×104m卩时,其发光效率就会大大降低,失去发光材料的价值。对于G瘀基LED,由于缺少晶格匹配的衬底材料,大多是以蓝宝石为衬底,利用外延生长方法制各GaN材料。G汛与蓝宝石的晶格常数差高达13.8%,直接生长的晶体质量很差,辐射复合效率极低,曾经是GaN基LED发展过程的主要障碍之一,后来N,Akasaki和s,Nakamura等人发明了首先生长低温成核层,然后生长高温GaN的两步生长法,才得到较高晶体质量的G瘀材料,促使了之后GaN蓝光LED的蓬勃发展。