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漂移电流大于扩散电流

发布时间:2016/10/31 20:26:25 访问次数:5003

   结加正偏电压时,破坏了原零偏电压时载流子的扩散和漂移运动的平衡,由于空间电荷区电场减小,AD9271BSVZ-50载流子漂移运动被削弱,扩散电流大于漂移电流,产生电子从n型区到p型区及空穴从p型区到n型区的正向电流。电子从中性n型区越过空间电荷区后向p型 区扩散,成为p型区的非平衡少数载流子,电子边扩散边与多数载流子空穴复合减少至消失。从p型区向n型区扩散的空穴亦然。正向偏压越大,空间电荷区电场越小,空间电荷区越薄,势垒高度越低,正向电流越大。

   pn结加反偏电压时,空间电荷区电场增大,空间电荷区加宽,扩散和漂移运动的平衡破坏,载流子漂移运动增强,漂移电流大于扩散电流。这时n型中性区与空间电荷区边界的空穴被空间电荷区的强电场驱向p型区,同时p型中性区与空间电荷区边界的电子被驱向n型区。当这些少数载流子被驱走后,中性区的少子就靠扩散运动来补充,这个过程形成了反偏电压下的少数载流子的反向扩散电流,但是由于少数载流子的浓度很低,浓度梯度也很小,所以反向偏电压下扩散电流很小。零偏压和分别外加正向和反向偏压时pn结的能带变化如图3-25所示。

     

     



   结加正偏电压时,破坏了原零偏电压时载流子的扩散和漂移运动的平衡,由于空间电荷区电场减小,AD9271BSVZ-50载流子漂移运动被削弱,扩散电流大于漂移电流,产生电子从n型区到p型区及空穴从p型区到n型区的正向电流。电子从中性n型区越过空间电荷区后向p型 区扩散,成为p型区的非平衡少数载流子,电子边扩散边与多数载流子空穴复合减少至消失。从p型区向n型区扩散的空穴亦然。正向偏压越大,空间电荷区电场越小,空间电荷区越薄,势垒高度越低,正向电流越大。

   pn结加反偏电压时,空间电荷区电场增大,空间电荷区加宽,扩散和漂移运动的平衡破坏,载流子漂移运动增强,漂移电流大于扩散电流。这时n型中性区与空间电荷区边界的空穴被空间电荷区的强电场驱向p型区,同时p型中性区与空间电荷区边界的电子被驱向n型区。当这些少数载流子被驱走后,中性区的少子就靠扩散运动来补充,这个过程形成了反偏电压下的少数载流子的反向扩散电流,但是由于少数载流子的浓度很低,浓度梯度也很小,所以反向偏电压下扩散电流很小。零偏压和分别外加正向和反向偏压时pn结的能带变化如图3-25所示。

     

     



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