器件最大线性区跨导g“maxl的测量方法采用微分法:首先测量线性区的丸s一吒s特性,然后对该曲线取微分,得到gm⒄axl-%s曲线,从曲线中可以得到.

   MOsFET的温度特性主要来源于沟道中载流子的迁移率〃和阈值电压Kh随温度的变化。 CAP006DG载流子的迁移率随温度变化的基本特征是温度上升,迁移率下降。根据式⑾,饱和区的跨导为,所以温度⒕跨导下降。

   半导体特性分析仪KEITHLEY绲00中的最大线性区跨导g“m继)的公式为GM=DIF※DRAINI,GATEV);GMMAX=MAX(GM)。

经测量,NMOs晶体管的跨导变化率为1.150S7E-6S/℃,PMOS晶体管的跨导变化率为1.∞754E-7S/℃,如图9。z和图9.25所示。因实条件所取的‰s为0.1V,处于线性区,所以跨导g〃的温度特性完全取决于沟道迁移率〃的温度特性,二者是线性相关的,故有最大跨导的变化显示出随着温度升高,器件的放大效应逐渐减弱。跨导的降低表明栅极电压对沟道的耦合能力变小,影响了器件的交流特性。