浪涌电压和静电放电造成的损害是人所共知的，静电放电(ESD)对IC和半导体器件的破坏是致命的，DG408DY-T1-E3为了应对这些问题，人们研制了多种过电压保护元件，如高分子聚合物正温度热敏电阻(PPTC)、瞬变电压抑制器(TVS)、氧化锌压敏电阻等。浪涌抑制器件基本上可以分为两种类型。第一种类型为撬棒器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗大大降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对电路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关(CSSPD)等。另一种类型为钳位保护器，即保栌器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以钳位的方式起到保护作用。常用的钳位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)、瞬态电压抑制器(TVS)等。

   电涌保护器从响应特性来看，有软硬之分。属于硬响应特性的放电元件有充气放电器和空气火花间隙，空气火花间隙是基于斩弧技术的角型火花间隙或是同轴放电火花间隙。属于软响应特性的放电元件有压敏电阻和瞬态电压抑制器。所有这些元件的区别在于放电能力、响应特性和残余电压。由于这些元件各有其优缺点，应用中应将其组合成特殊保护电路，可以扬长避短。特别是近年来由于IC和半导体器件的电压一降再降，开发和研制新型的过电压保护器件越发重要。下面简要介绍已开发出的几种提供过电压保护的器件，包括MLV、MLVF、MOV、瞬态电压抑制器和ESD抑制器。