对阈值电压变化量的测试，可用来检测氧化膜中是否有可动离子污染物出现。RHRP1560这一检测要在经过特别准备的晶圆上进行。先在“洁净”的硅片上长一薄层氧化膜。氧化膜生长后，再通过掩蔽膜用蒸发的方法在晶圆上形成铝点（见图14. 41）。然后用合金来完成以保证铝层和氧化层之间有良好的接触电性能。在晶圆上集成电路测试位置可以构成专门的MOS电容。“有铝点”的晶圆被放在一个吸盘上，一个探针被置于铝点之上。这种结构实际上是一个MOS电容器。当在铝点上施加电压并逐渐增加时，同时便可测得该结构的电容量变化。在一个x-y绘图仪上打印出结果，石轴表示电压量，y轴表示电容量（见图14. 42）。

   当电压到达阈值电压( threshold voltage)[或反型电压(inversion voltage)]时，开始有“反型”电荷出现在硅表面。这将使其导电形式由N型向P型转换。反型层有自己的电容量。从电性能角度考虑，这一结构有两个串联电容。其总电容小于各自电容和，可用关系式表示为：

   1/CH=l/C氧化层+l/C反型层

   x-y图上的曲线显示电容垂直下降到这一新电容值。    ，

   这一过程的第二步是驱动氧化层的可动正离子到二氧化硅一硅的界面。在这一过程中同时将晶圆加温到200℃~ 300℃之间，并在器件上加正50 V电压（见图14. 43）。温度的升高加速了离子的运动，正电压偏差迫使它们向二氧化硅一硅界面的方向运动。

   这一过程的最后一步是最初电容／电压曲线的重复。然而，随着电压的增长，反型产主不再与初始测试时相同（见图14. 44）。在反型发生前需要额外的负电压来中和表面的正电荷才能实现反型。这里得到的电容一电压曲线与同源曲线相同，只是向右平移的一段距离，这一额外电压称为漂移( drift)或平移(shift)。