从铝到铜金属化的转变不是一个简单的材料转换。铜有其自身的一系列问题和挑战。AD8007AKSZ-R2它不容易用湿法和干法技术刻蚀。铜与硅有大的接触电阻。它容易扩散穿透二氧化硅，并进入硅结构。在那里，它能使器件性能退化并产生结漏电问题。铜不能很好地黏附在二氧化硅表面，会引起结构问题。这些挑战导致了独特的、高产能的工艺开发，该工艺专门用于克服铜的问题。它的特点包括光刻工艺、低丘阻挡层或衬垫层工艺的开发、铜电镀和化掌机械抛光丁艺。

   第10章介绍了基本的大马士革工艺。大马士革工艺的概念很简单。首先用光刻工艺在介质层表面形成一个沟槽，并在沟槽里淀积所要的金属。一般情况下，淀积的金属会溢出沟槽，这就需要CMP r艺来再次使表面平坦化（见图I3. 16）、因为沟槽宽度限定了金属宽度，这个T艺可以实现优异的尺寸控制。它消除J'接F来金属淀积的典型金属刻蚀工艺所带来的差异。