在20世纪90年代，IBM公司引入铜基的大马士革工艺而取代铝的金属化12、AD8001ARTZ-REEL7铜金属化引入关注点之一是铜可以用来作为金属塞材料，产生将金属间电阻降到最小的单一金属系统。

   随着集成电路达到几百兆赫兹的速度，铝金属化遇到r性能的阻碍。信号必须以足够快的速度通过金属系统，才能防止程序延误。同样，更大的芯片需要更长、更细的金属导线，这就使金属连线系统的电阻变得更大。随着接触孔数量增加，铝和硅表面之间的小接触电阻加起来变得非常重大。虽然铝提供了可以工作电阻，它也很难淀积在具有(10：1)深宽比的通孑L中。直到今天，人们已经使用了阻挡层金属方案、堆叠金属和难熔金属来降低铝金属系统的电阻。由于0. 25斗Q．cm（或更小）的器件的需要，人们不得不尝试着减少附加电阻，这使人们的兴趣重新转向了铜这种导体。与铝3.1斗Q．cm的电阻率相比，铜的电阻率仅为1.7肛Q．cm．导电性比铝优良。同时，铜本身就具有抗电迁移的能力，而且能够在低温F进行淀积。铜也能够作为塞材料使用。铜能够通过CVD、溅射、化学镀、电镀等方法进行淀积。除了缺乏学习曲线，其缺点包括刻蚀问题、铜还易刮伤、腐蚀，还需要隔离金属来防止铜进入硅片之中。尽管如此，IBM还有紧随其后的Motorola，都在1998年就宣布了基于铜技术的器件制造的可行性‘3，现在所有的电路都采用铜金属化和低k介质技术开发．．要益处是提高性能和减少要求的金属层数。