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品质因素的机理分析

发布时间:2015/7/1 19:56:06 访问次数:769

   品质因素是软磁铁氧体的一个重要指标,它受限于材料的损耗, HFA15TB60PBF也限制了应用的上限频率。磁性材料和元件在交变磁场中一方面会受磁化,另一方面会发热,产生损耗。它的总损耗应包括磁化线圈的铜损耗、磁损耗和介电损耗。因此,铁氧体材料单位体积的总磁损耗功率由涡流损耗功率、磁滞损耗功率和后效损耗功率三部分组成。在低频弱交变磁场中,材料内部的总损耗可以看成各损耗的代数和,因此,相对应损耗角正切可为比涡流损耗、比磁滞损耗、比剩余损耗的和。

   高磁导率和超高磁导率的铁氧体有较大的涡流损耗,其主要原因是本身所含Fe3 04量大(非金属导电体)所致。从微观结构分析可知,当晶粒直径较大、晶界较薄、晶界的体积不大等,均使得电阻率低,涡流损耗大。可以采用某些酸性氧化物作为添加剂或适当降低烧结温度来提高铁氧体的电阻率,从而可降低涡流损耗。

   磁滞损耗,在弱磁场中与材料的饱和磁感应强度成正比,而与起始磁导率的平方成反比,只有对于晶粒状完整、晶粒大小均匀、晶粒边界较厚、气孔较少、各向异性较小的铁氧体材料,其矫顽力较小,磁滞回线面积也可能小,因此,才可能具有较低的磁滞损耗。

   后效损耗又称剩余损耗,在低频弱磁扬中,剩余损耗主要是磁后效损耗(指由于弛豫过程而引起磁化滞后的损耗);在较高频率下,剩余损耗主要包括畴壁共振损耗和自然共振损耗等。后效损耗是由电子扩散和离子(包括空穴)扩散造成的。它通常是可逆的,且与环境温度、频串有关,与烧结过程中的固相反应程度有密切关系。一般来说,固相反应越完善,后效损耗也越低。


   品质因素是软磁铁氧体的一个重要指标,它受限于材料的损耗, HFA15TB60PBF也限制了应用的上限频率。磁性材料和元件在交变磁场中一方面会受磁化,另一方面会发热,产生损耗。它的总损耗应包括磁化线圈的铜损耗、磁损耗和介电损耗。因此,铁氧体材料单位体积的总磁损耗功率由涡流损耗功率、磁滞损耗功率和后效损耗功率三部分组成。在低频弱交变磁场中,材料内部的总损耗可以看成各损耗的代数和,因此,相对应损耗角正切可为比涡流损耗、比磁滞损耗、比剩余损耗的和。

   高磁导率和超高磁导率的铁氧体有较大的涡流损耗,其主要原因是本身所含Fe3 04量大(非金属导电体)所致。从微观结构分析可知,当晶粒直径较大、晶界较薄、晶界的体积不大等,均使得电阻率低,涡流损耗大。可以采用某些酸性氧化物作为添加剂或适当降低烧结温度来提高铁氧体的电阻率,从而可降低涡流损耗。

   磁滞损耗,在弱磁场中与材料的饱和磁感应强度成正比,而与起始磁导率的平方成反比,只有对于晶粒状完整、晶粒大小均匀、晶粒边界较厚、气孔较少、各向异性较小的铁氧体材料,其矫顽力较小,磁滞回线面积也可能小,因此,才可能具有较低的磁滞损耗。

   后效损耗又称剩余损耗,在低频弱磁扬中,剩余损耗主要是磁后效损耗(指由于弛豫过程而引起磁化滞后的损耗);在较高频率下,剩余损耗主要包括畴壁共振损耗和自然共振损耗等。后效损耗是由电子扩散和离子(包括空穴)扩散造成的。它通常是可逆的,且与环境温度、频串有关,与烧结过程中的固相反应程度有密切关系。一般来说,固相反应越完善,后效损耗也越低。


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