标准包装 4,000
类别 光电元件
类别： 红外发射器，UV 发射器 TSAL6200
系列 -
包装 散装
电流 - DC 正向 (If) 100mA
不同 If 时的辐射强度 (Ie)（最小值） 40mW/sr @ 100mA
波长 940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值） 1.35V
视角 34°
方向 顶视图
安装类型 通孔
封装/外壳 径向，5mm 直径（T 1 3/4）
中科院微电子研究所刘忠立研究员详细讲解了FDSOI技术优势、市场应用及其在中国的机遇。刘研究员提到FDSOI相对于体硅及PDSOI具有明显的优势：不存在翘曲效应、没有闩锁效应通道、能够反向栅极偏压控制以及抗SEE能力。FDSOI可以广泛应用在超低功耗要求领域，移动通讯、CPU、ADC、RFIC及超低电压数字电路等。对于中国来说发展FDSOI机遇在于手机等移动终端市场应用，中国需要强有力的合作伙伴一起发展FDSOI技术。
IBM首席技术专家Rama pakaruni探讨了20nm以下半导体技术走向问题，包括14nm、10nm及7nm技术节点的CMOS技术。Rama提到在过去的30年中Si工艺每隔10年便会饱和而出现新的技术，未来10年哪种技术会成为主流？纳米线器件、3D芯片堆叠技术还是光子技术？TSAL6200
SOI是候选技术之一，IBM一直从事SOI技术的研发工作，从最初的130/180nm节点到即将进行的7nm先进节点，SOI已经实现了DRAM及Logic的集成。当半导体工艺进入14nm节点时，FinFET成为选择，但却不得不面对“Fin-Effect”，IBM的看法是基于SOI的FinFET解决方案，即FinFET on SOI。
本次SOI技术高峰论坛上，全球领先的SOI衬底厂商也带来精彩的演讲。包括SunEdison、Soitec及SEH公司。SunEdison公司的SOI晶圆衬底所面向领域包括光电应用、模拟/功率分立器件/MEMS、MPU/GPU/逻辑器件等所需要的光子SOI、CMOS图像感应SOI、高阻SOI、先进HR SOI、LTSOI、BGSOI、ETSOI、CMOS SOI等。Soitec在智能手机RF衬底供应方面占有超过50%的市场份额，Soitec可以提供一致性非常优异的高质量的FD SOI衬底，而且其FD 2D技术能够支持FD SOI平面技术路线，FD 3D技术能够支持FinFET技术路线，为将来半导体技术的发展提供了必要的支持。SEH是一家从长晶到SOI衬底全产业链发展的公司，占有SOI衬底市场约80%的市场份额，拥有Smart Cut技术可以实现10~50nm薄型SOI晶圆，其300mm SOI晶圆厂也正在进行扩产中。
在最后圆桌论坛环节，各位与会专家就未来技术走向又进行了精彩的讨论。大家都十分看好未来SOI技术的发展，中国厂商也将会扮演十分重要的角色
