标准包装 2,000
类别 集成电路 (IC)
家庭 PMIC - 显示器驱动器 ；PCF8576DT
系列 -
包装 带卷 (TR)
显示类型 LCD
配置 7段 + DP，14段 + DP + AP，点阵
接口 I²C，2 线串口
数字或字符 10 字符，20 字符，160 元件
电流 - 电源 6µA
电压 - 电源 1.8 V ~ 5.5 V
工作温度 -40°C ~ 85°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽）
为了有效利用SOI技术的独特优势并降低应用门槛，国际SOI产业联盟、中科院上海微系统与信息技术研究所与芯原股份有限公司在上海成功举办了“SOI技术高峰论坛”。本次论坛的与会单位包括IBM、ST、Soitec、SunEdison、ShinEtsu等全球SOI技术领先企业，中芯国际、华虹宏力等晶圆代工厂商，中兴、大唐电信、联芯科技、展讯等集成电路设计企业，Cadence、Synopsys、Mentor Graphics、VeriSilicon等设计服务公司，还有来自清华大学、复旦大学、PCF8576DT
中科院北京微电子等科研机构的与会者。
如今智能手机、电视、PCF8576DT
笔记本、平板电脑等电子产品竞争力的持续提升需要半导体产业提供更高性能和更低功耗的集成电路产品。几十年来，半导体产业依赖晶体管尺寸的持续缩小来满足这一要求。然而，晶体管缩小正在逼近极限，在单个芯片上再新增更多功能而同时提升性能并使功耗可控已几乎不可能。产业目前正迈向全耗尽晶体管技术以应对这一严峻挑战。在诸多具有前景的方案中
，FDSOI是最为重要的候选技术之一。
来自美国商业战略公司(IBS)主席兼首席执行官Handel Jones表示受惠于中国移动终端市场的火热，中国已经成为最大的IC需求市场。如今半导体制造技术已经发展到28nm节点，而下一代晶体管结构及制造技术该如何布局？Handel Jones认为FinFET技术目前尚不成熟，最大的问题在于成本太高，将在未来遇到发展瓶颈。而FD SOI技术在28nm将开始具有成本竞争力，而进入20nm及以下节点时将拥有明显的成本优势。目前GlobalFoundries已经重申了发展FDSOI技术的承诺。
意法半导体公司的高级首席工程师David Jacquet分享了意法半导体基于FDSOI的架构选择与设计实施方案，采用28nm工艺FDSOI晶体管的应用处理器性能能够提升40%，而功耗降低了30%以上。意法半导体在40nm时就在探索FDSOI技术，如今已经成功实现28nm的验证，FDSOI技术能够有效降低漏电，期望这项成果能够成为在便携终端、数码相机和游戏机等各种产品中使用FDSOI的契机。
武汉新芯集成电路制造有限公司首席执行官杨士宁从制造的角度阐述了中国发展FDSOI所面临的的问题及建议。杨博士认为，从技术上来讲，FDSOI不仅仅是替代体硅工艺而且相比FinFET仍有优势，中国将在2年内实现FDSOI的制造工艺。然而衬底成本太高是需要面临的一个问题。另外生态系统的建立及IP问题也需要业界一起努力解决。FinFET虽然在工艺上有一定难度，但是他认为这仍是有争议的一个技术方向，长期看来不一定一直处于劣势。对于中国发展FDSOI技术的建议，他认为衬底价格需要下降；中国设计公司应该与制造商一起合作，共同承担一定的技术风险；各方联合努力打造良好的生态系统；并规划技术路线图指导今后的发展方向。
