商品目录 通用MOSFET
封装/外壳 SOT-23
FET类型 N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W
工作温度 -55°C~150°C
栅极电压Vgs ±16V
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 1.6A
IRLML0100TRPBF
发布时间:2022/9/24 11:04:00 访问次数:59
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