FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 86A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2150pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.8mΩ@25A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 15V
