IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

商品目录 通用MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 25μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.7A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 2.7A
封装/外壳 SOT-23