IRF9530NPBF

IRF9530NPBF

商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 25V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 58nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 760pF @ 25V
封装/外壳 TO-220AB
连续漏极电流Id 14A
Pd-功率耗散(Max) 79W
Qg-栅极电荷 38.7 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ
漏源极电压Vds 100V
栅极电压Vgs 4V
上升时间 58ns
下降时间 46ns
典型关闭延迟时间 45ns
典型接通延迟时间 15ns
宽度 4.4mm
FET类型 P-Channel
正向跨导 - 最小值 3.2S
通道数量 1 Channel
配置 Single
长度 10mm
高度 15.65mm