产品描述：MMBT589LT1G
MMBT589LT1G：30V，1.0A高电流PNP低VCE（sat）双极晶体管
低VCE（sat）双极晶体管是微型表面贴装器件，具有超低饱和电压VCE（sat）和高电流增益能力。它们设计用于低电压，高速开关应用，其中经济实惠的高效能量控制非常重要。
产品特性：MMBT589LT1G
低rDS（on）可提供更高的效率并延长电池寿命
微型SOT-23表面贴装封装可节省电路板空间
提供无铅封装
适用于汽车和其他应用的NSV前缀，需要独特的站点和控制变更要求;AECQ101合格且PPAP能力
制造商 ONSemiconductor制造商零件编号 MMBT589LT1G
描述 TRANSPNP30V1ASOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 8周
详细描述 双极-BJT-晶体管-PNP-30V-1A-100MHz-310mW-表面贴装-SOT-23-3（TO-236）
一般信息 数据列表 MMBT,BSVMMBT589LT1G;
标准包装
包装
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-双极(BJT)-单
系列 -
规格 晶体管类型 PNP
电流-集电极（Ic）（最大值） 1A
电压-集射极击穿（最大值） 30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值） 650mV@200mA，2A
电流-集电极截止（最大值） 100nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值） 100@500mA，2V
功率-最大值 310mW
频率-跃迁 100MHz
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
