产品描述：2N7002ET1G
2N7002ET1G：N沟道小信号MOSFET60V，310mA，2.5Ω
N沟道MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5Ω沟槽，N沟道，SOT23
特性优势：2N7002ET1G
低RDS（上）
提高系统效率小
节省空间
海沟技术
符合RoHS标准
应用：2N7002ET1G
低侧负载开关
电平转换电路
DC-DC转换器
便携式应用，如DSC，PDA，手机等
终端产品：2N7002ET1G
DSC
PDA
手机
制造商 ONSemiconductor制造商零件编号 2N7002ET1G
描述 MOSFETN-CH60V260MASOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 4周
详细描述 表面贴装-N-沟道-60V-260mA（Ta）-300mW（Tj）-SOT-23-3（TO-236）
一般信息 数据列表 2N7002EDatasheet;
标准包装
包装
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格 FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 260mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 2.5欧姆@240mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） .81nC@5V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 26.7pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Tj）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
