2N7002-7-F

产品描述：2N7002-7-F

N-CHANNEL增强型MOSFET

该MOSFET设计用于最小化导通电阻（RDS（ON））并且仍然保持卓越的开关性能是高效电源管理应用的理想选择。

产品特征：2N7002-7-F

低导通电阻

低门限电压

低输入电容

快速切换速度

小型表面贴装封装

完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。“绿色”装置（注3和4）

符合AEC-Q101高可靠性标准

机械数据：2N7002-7-F

案例：SOT23

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：MatteTinFinish在Alloy42引线框架上退火

（无铅电镀）。可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

终端连接：请参见图表

重量：0.008克（近似值）

应用：2N7002-7-F

电机控制

电源管理功能

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 2N7002-7-F
描述 MOSFETN-CH60V115MASOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装-N-沟道-60V-115mA（Ta）-370mW（Ta）-SOT-23-3
一般信息 数据列表 2N7002Datasheet;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -


规格 FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 115mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 7.5欧姆@50mA，5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.5V@250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 370mW（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3