这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST开发的
先进创新的第二代SiC MOSFET技术。该设备
具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关
表演。开关损耗的变化几乎与结无关
温度。
特性
订单代码VDS RDS(on) max。ID
SCTW35N65G2V 650 V 67 mΩ 45 A
•非常快速和稳健的内在体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
•非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
应用程序
•开关模式电源
•DC-DC转换器
•工业电机控制
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 67 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 240 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
单位重量: 8.006 g
