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供应IPB180N04S3-02MOSFETN-CH40V180ATO263-7

发布时间:2018-8-10 10:50:00 访问次数:139 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

型号:IPB180N04S3-02
品牌:Infineon Technologies
封装:TO-263-7
批号:18+
数量:1000个




FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 230μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-7-3
封装/外壳 TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)




STM8S903K3T6C
STP26NM60N
STM32F103VGT6
STM8S003F3P6TR
STM8S003F3U6TR
STM32L011F4P6
STM32FEBKC6T6A
STM32L011K4T6
STM8S207RBT6C
STM8S207RBT6
STM8S207RBT6CTR
NS681679
NS892407
NS681684
IDTP9038
TPS62621YFFR
TPS62621YFFT
TLV2221CDBVR
TPS54560QDDARQ1
TPS54560BQDDARQ1
DCH010505SN7
TPS61088RHLR
ADC12D1000CIUT
ADS1298IPAGR
BQ25892RTWR
BQ25892RTWT
OMAP3530ECUSA
TEMD6200FX01
TEMD6200FX01
SMM02040C1001FB300
SMM0204C1001FB00
MMA02040C1001FB300


公司名:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:雷先生
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