供应IPB180N04S3-02 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

型号：IPB180N04S3-02
品牌：Infineon Technologies
封装：TO-263-7
批号：18+
数量：1000个




FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 230μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 210nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-7-3
封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）




STM8S903K3T6C
STP26NM60N
STM32F103VGT6
STM8S003F3P6TR
STM8S003F3U6TR
STM32L011F4P6
STM32FEBKC6T6A
STM32L011K4T6
STM8S207RBT6C
STM8S207RBT6
STM8S207RBT6CTR
NS681679
NS892407
NS681684
IDTP9038
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TPS62621YFFT
TLV2221CDBVR
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TPS61088RHLR
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TEMD6200FX01
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