型号:IPB049NE7N3G
品牌:INFINEON
封装:TO-263
批号:18+
数量:1000个
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.9 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 91μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 37.5V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
NS681679
NS892407
NS681684
IDTP9038
TPS62621YFFR
TPS62621YFFT
TLV2221CDBVR
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DCH010505SN7
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XMC4108-F64K64BA
IGCM15F60GA
IKCS12F60F2C
MDD4N60RH
公司名:深圳市裕硕科技有限公司
联系人:欧阳小姐
手机:13510131896
QQ:1184826453
专线1:86-0755-23615309
专线2:86-0755-82767795
专线3:86-0755-23608997
传真:86-0755-23613962
公司网站:www.yushuokj.com
地址:深圳市福田区上步工业区501栋488室
IPB049NE7N3G
发布时间:2018/8/8 16:33:00 访问次数:164 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司
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